更新 2017. 5. 19

内田 和人 (Kazuhito UCHIDA)

東京大学 物性研究所
凝縮系物性研究部門
技術専門員

〒279-0023 千葉県柏市柏の葉 5-1-5
Phone: 04-7136-3340（居室 A-271）
                       -3595（実験室 C-122）
FAX:    04-7136-3595
E-mail: uchida [at] issp.u-tokyo.ac.jp

「略歴」

1981 鹿児島県立鶴丸高等学校卒業
1989 東京理科大学大学院理学系研究科物理学専攻修士課程修了
1990 東京理科大学大学院理学系研究科物理学専攻博士課程中退
        東京大学物性研究所文部技官
2000 博士号（工学）取得（東京大学）
2001 東京大学物性研究所技術専門職員
2017 東京大学物性研究所技術専門員 　

「学位」

博士（工学）（東京大学　平成12年） 　

「研究テーマ」

1. 音波を用いた歪み制御法の開発
2. 空間領域差分計測法による画像センシング
3. グラフェンの電気輸送特性と歪みの効果
4. カーボンナノ構造体の磁気光学的研究
5. 電子・正孔空間分離型半導体ヘテロ構造の磁気光学 　

「特許」

名称：画像処理方法及び装置
発明者：内田 和人、長田 俊人
権利者：内田 和人、長田 俊人
番号：特許第5897309号
登録年月日：2016年 3月 11日

名称：電子雪崩効果による抵抗変化を磁場によって制御した素子及びそれを用いた磁気感応装置
発明者：秋永弘幸、三浦　登、内田 和人
権利者：独立行政法人産業技術総合研究所
番号：特許第4543142号
登録年月日：2010年 7月 9日

「所属学会」

日本物理学会
応用物理学会 　

「書籍・解説記事」

「 a-(BEDT-TTF)₂I₃におけるディラック電子系の比熱とその磁場効果」
固体物理 vol.47、No.7　(2012)、鴻池貴子、内田和人、長田俊人

「グラファイトの磁気輸送とディラック電子」
固体物理 vol.45、No.11 (2010)、長田俊人、今村大樹、内田和人、鴻池貴子

「磁気光学測定」
実験物理学シリーズ第５巻「強磁場の発生と応用」6.1節、pp.281-295 (共立出版、東京、2008)、三浦登、内田和人、

「GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光 -磁場と圧力の効果-」
固体物理 vol.36、No.3 (2001)、内田和人、三浦　登

「CCDを用いたパルス強磁場用時間掃引スペクトロメータ」
固体物理 vol.33、No.431 (1998)、三浦登、内田和人、国松洋、安平俊伸、嶽山正二郎

「パルス強磁場下における光学測定用高圧クランプセルの開発」
固体物理 vol.32、No.89 (1997)、 内田和人、国松洋、三浦登

「微小空間での試料の冷却 -超強磁場と低温を組み合わせる-」
固体物理 vol.27、No.10 (1992)、三浦登、嶽山正二郎、内田和人

「競争的資金」

「歪み制御された遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の励起子発光」（研究代表者）
研究課題番号：17K05051
期間：2017年4月1日〜2020年3月31日
研究種目：基盤研究(C)
総額：4810千円

「微細構造振動子を用いたグラフェンの面内歪み制御の研究」（研究代表者）
研究課題番号：24540363
期間：2012年4月1日〜2015年3月31日
研究種目：基盤研究(C)
総額：5070千円

「イメージファイバを用いた空間2次微分スピンイメージング測定装置の開発」（研究代表者）
研究課題番号：21540316
期間：2009年度〜2011年度
研究種目：基盤研究(C)
総額：4810千円

「グラフェンの磁場中伝導現象における幾何学的効果」（研究分担者）
研究課題番号：21340094
期間：2009年度〜2011年度
研究種目：基盤研究(B)
総額：19760千円

「FETおよびメゾスコピック構造による超薄膜グラファイトの電子物性の研究」（研究分担者）
研究課題番号：19340095
期間：2007年度〜2008年度
研究種目：基盤研究(B)
総額：19240千円

「強磁場・高圧環境を用いたGaP／AIPへテロ構造の励起子に関する研究」（研究代表者）
研究課題番号：11914007
期間：1999年度
研究種目：奨励研究(B)
総額：240千円

「C₆₀薄膜単結晶の磁気光学スペクトル」（研究代表者）
研究課題番号：05914021
期間：1993年度
研究種目：奨励研究(B)
総額：180千円